9.2 國產設備的艱難突圍：微影機、蝕刻機（中微）、薄膜設備（拓荊）等的自主化進程#

中國設備產業的出發點#

2010 年代之前，中國半導體設備產業幾乎不存在：

設備幾乎全部進口（美日荷為主）；
早期「半導體裝備本國化」的嘗試（例如 1990–2000 年代上海微電子、北方華創的前身等）成果有限；
2014 年《國家集成電路產業發展推進綱要》與大基金一期（2014）、二期（2019）成立——戰略與資金第一次系統化注入。

中國主要設備公司與進程#

微影：上海微電子（SMEE）#

SMEE 於 2002 年成立，是中國唯一持續研發步進光刻機的企業；
最先進的量產機型長期停留在 90nm 級別（SSA600 系列）；
「中國自己產 28nm 光刻機」的承諾多次跳票——光刻機是所有品類中最難的一關（鏡頭、光源、雙台架、軟體都要從零建起）。

蝕刻：中微半導體（AMEC）#

2004 年由尹志堯（曾在 AMAT、Lam 任高管）創立於上海；
主打電容耦合電漿蝕刻（CCP）與導控電漿蝕刻（ICP）；
在 55nm 到 28nm 的蝕刻已進入台積電等代工廠驗證（早期曾供 28nm 刻蝕）；在 NAND 廠的深孔蝕刻需求持續提升；
另一強勢對手北方華創（NAURA，由七星電子與北方微電子合併，2015 組建）覆蓋蝕刻、薄膜、清洗等多品類。

薄膜沉積：拓荊科技（Piotech）#

2010 年成立，源自中國科學院；
主打 LPCVD、PECVD、ALD；
是國產化沉積設備的代表性廠商，客戶包括多家中國晶圓廠。

其他重要品類#

清洗設備：盛美上海（ACM Research）以 Megasonic 清洗技術見長；美國母公司背景但主要市場在中國；
離子植入：由中科信（前北京電控）及矽盛微電子等嘗試；功率較低、量產經驗有限；
CMP：華海清科（Hwatsing）近年成長最快的國產 CMP 廠商。

2020 年代的成果與極限#

進步之處#

成熟製程（28nm 以上）的國產化率快速提高，部分品類（清洗、CMP、部分蝕刻機）國產化已超過 30–50%；
中微、北方華創等公司獲得了先進蝕刻設備的實際量產經驗；
2022–2024 年由於先進設備被禁，中國晶圓廠對國產設備的採購意願大幅上升——「被逼出來的市場」。

難以逾越的關卡#

光刻機：28nm 及以下的浸潤式步進機完全無國產替代（光源、鏡頭、雙 stage 三重門檻）；
先進蝕刻／沉積的「新工藝 know-how」：與台積電、三星等尖端 fabs 的深度合作機會缺失，經驗累積困難；
服務體系：設備商的核心價值不只是機器設計，更是數十年的服務與資料庫——需要時間。

制度與文化的支撐#

人才回流：AMAT、Lam、TEL 的高階華人工程師大量回流（尹志堯、趙晉榮、賀榮明等），帶來了直接的工程經驗；
國家隊＋市場：以大基金為中心的多層補貼與採購政策（地方財政、基金投入、股權投資）；
客戶的「被迫合作」：先進設備被禁後，中芯國際等全面加大對國產設備的採購與驗證——形成良性（或被迫的）協同。

小結#

國產設備的突圍，是「先從旁門打進，再圖正面強攻」的路線：從成熟製程的清洗、CMP、蝕刻逐步向上。微影是尚未攻克的最後一道牆。下一節看意外的市場：二手設備與成熟製程制造的暴漲。