1953 - Veeco 真空鍍膜（薄膜設備工業的起源）#

案件摘要#

1953 年，Veeco（Vacuum Electronics Manufacturing Company）在紐約長島成立，把戰後的真空技術變成商品化蒸鍍設備——「泵浦 + 鐘罩 + 鎢絲」的組合，成為剛誕生的半導體工業的第一代薄膜設備供應商。

\[ \text{真空腔（10}^{-5}\text{ Torr）} + \text{蒸發源} \xrightarrow{\text{加熱}} \text{薄膜（Al 金屬層）} \]

晶片的金屬接觸層、電極互連——1960–70 年代全部靠蒸鍍設備完成。

電晶體需要金屬電極：點接觸電晶體（1947）的觸針不可量產；合金接面與蒸鍍電極才是答案—— 每顆電晶體都需要一層鋁膜。
真空技術戰後成熟：二戰雷達與原子彈計畫催生了擴散泵浦工業（CVC 等公司），高真空從實驗室珍品變成可購買的商品。
光學鍍膜行業先行：戰後望遠鏡、相機鏡頭鍍膜（抗反射膜）培養了第一批「賣真空設備」的公司——Veeco 從光學跨入半導體。
偵探觀察：1950s 的 fab 沒有「買設備」的習慣（都自己做）—— Veeco 們賣的是實驗室級真空系統，直到 1960s 才轉為量產機台。

蒸發速率由蒸氣壓決定（Clausius–Clapeyron）：

\[ \log P = A - \frac{B}{T} \]

材料	熔點 (°C)	可用蒸發溫度 (°C)	蒸發源
鋁 Al	660	~1100（蒸氣壓 10⁻² Torr）	鎢舟、電子束
矽 Si	1414	~1500	電子束（e-beam gun）
鉻 Cr	1907	~1400（會昇華）	舟式
鎢 W	3422	昇華（難）	射頻濺鍍（後來）

\[ \lambda = \frac{kT}{\sqrt{2}\,\pi d^2 p} \]

點蒸發源在基板上的厚度分布：

\[ t(\theta) = t_0 \cos^2\theta \quad (\theta = \text{偏離法線角度}) \]

\[ \Delta f = -\frac{2 f_0^2}{A\sqrt{\rho_q \mu_q}}\,\Delta m \]

1960s–70s：蒸鍍是金屬化（Al 互連）的標準設備；半導體客戶占比超越光學。
1980s 被濺鍍取代：磁控濺鍍（magnetron sputtering）台階覆蓋率更好、可鍍合金（Al-Si-Cu）與難熔金屬——見 1991-Endura群集設備.md 的 PVD 革命。
Veeco 的轉型偵探史：蒸鍍 → 分子束磊晶（MBE，1980s–90s，III-V 族與量子井） → AFM 原子力顯微鏡 → 雷射退火；並於 1974 年併購 Cobilt（對準機廠）—— 意外繼承了接觸式微影的血脈（見 1961-Kasper對準機.md）。
MBE 的學術地位：分子束磊晶是量子井雷射、量子霍爾效應實驗的幕後設備—— 一家 1953 年的鍍膜公司，養大了 1980s 的介觀物理。
偵探教訓：薄膜設備的核心從第一天起就是真空—— 沒有真空就沒有純淨介面；這條線索一直延伸到 EUV（EUV 機台內部也是真空）。